NPN кремний эпитаксиальный планарный транзисторы для общего назначения применения, дарлингтона транзистор
Артикул: C596229
Part Number: MMBTA14
Производитель: ST(Semtech)
от 0.016000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.033600 ₽ |
| 200 шт. | 0.025900 ₽ |
| 600 шт. | 0.021600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.019500 ₽ |
| 9000 шт. | 0.017200 ₽ |
| 21000 шт. | 0.016000 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 30V |
| Ток коллектора (Ic) | 500mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 10000;20000 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.5V@100mA,0.1mA |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 10V |
| Напряжение насыщения база–эмиттер (VBE(sat)) | - |
| Напряжение база–эмиттер во включённом состоянии (VBE(on)) | 2V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 125MHz |
Описание
30V 500mA NPN TO-236-3 одиночные биполярные транзисторы