VISHAY SIHB8N50D-GE3
Артикул: C5919017
Part Number: SIHB8N50D-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.731800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.927000 ₽ |
| 200 шт. | 0.769900 ₽ |
| 500 шт. | 0.744500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.731800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 500V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 850mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 527pF |
Описание
500V 5.5A 5V 156W 850mΩ@10V 1 N-канальный TO-263(D2PAk) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS