VISHAY SIHB24N65ET1-GE3
Артикул: C5919011
Part Number: SIHB24N65ET1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.856200 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 7.535000 ₽ |
| 200 шт. | 3.007700 ₽ |
| 500 шт. | 2.906700 ₽ |
| 800 шт. | 2.856200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 24A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 250W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 145mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 122nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.74nF |
Описание
650V 24A 4V 250W 145mΩ@10V 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)