VISHAY SIDR610DP-T1-GE3
Артикул: C5918966
Part Number: SIDR610DP-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 1.541100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.065600 ₽ |
| 200 шт. | 1.622900 ₽ |
| 500 шт. | 1.568400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.541100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 8.9A;39.6A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 6.25W;125W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 31.9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.38nF |
Описание
200V 4V 31.9mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS