VISHAY SIDR510EP-T1-RE3

VISHAY SIDR510EP-T1-RE3

Артикул: C5918958 Part Number: SIDR510EP-T1-RE3 Производитель: VISHAY
от 4.188300 ₽ В наличии: 10 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 4.321500 ₽
10 шт. 4.264700 ₽
30 шт. 4.225700 ₽
100 шт. 4.188300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Напряжение сток–исток 100V
Непрерывный ток стока (Id) 33A;148A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 7.5W;150W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 3.6mΩ@10V
Заряд затвора (Qg) 81nC@10V
Входная ёмкость (Ciss) 4.98nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 11pF

Описание

100V 4V 3.6mΩ@10V 1 N-канальный SO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS