VISHAY SISS32DN-T1-GE3
Артикул: C5918338
Part Number: SISS32DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.904900 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.010500 ₽ |
| 10 шт. | 2.965000 ₽ |
| 30 шт. | 2.934100 ₽ |
| 100 шт. | 2.904900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 80V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17.4A;63A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 5W;65.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.8V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.2mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 42nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.93nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 42pF |
Описание
80V 3.8V 7.2mΩ@10V 1 N-канальный PowerPAK1212-8S одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS