VISHAY SISH112DN-T1-GE3
Артикул: C5918322
Part Number: SISH112DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 2.414000 ₽
В наличии: 54 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.754600 ₽ |
| 10 шт. | 3.238300 ₽ |
| 30 шт. | 2.930200 ₽ |
| 100 шт. | 2.620500 ₽ |
| 500 шт. | 2.477900 ₽ |
| 1000 шт. | 2.414000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 17.8A |
| Рабочая температура | -50℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.61nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 145pF |
Описание
30V 17.8A 1.5V 3.8W 7.5mΩ@10V 1 N-канальный PowerPAK1212-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS