VISHAY SISA18BDN-T1-GE3
Артикул: C5918315
Part Number: SISA18BDN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.238400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.627600 ₽ |
| 200 шт. | 0.251400 ₽ |
| 500 шт. | 0.241700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.238400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A;60A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.2W;36.8W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.83mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 19nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 680pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 54pF |
Описание
30V 2.4V 6.83mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS