VISHAY SISS42DN-T1-GE3
Артикул: C5900153
Part Number: SISS42DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.627400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.654800 ₽ |
| 200 шт. | 0.660700 ₽ |
| 500 шт. | 0.639500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.627400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 11.8A;40.5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 4.8W;57W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 14.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 38nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.85nF |
Описание
100V 3.4V 14.4mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS