VISHAY SIS606BDN-T1-GE3
Артикул: C5900147
Part Number: SIS606BDN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.541000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.425900 ₽ |
| 200 шт. | 0.569800 ₽ |
| 500 шт. | 0.550100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.541000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 9.4A;35.3A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.7W;52W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 17.4mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.47nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
Описание
100V 4V 17.4mΩ@10V 1 N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS