VISHAY SIHD2N80AE-GE3
Артикул: C5900009
Part Number: SIHD2N80AE-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.495300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.304800 ₽ |
| 200 шт. | 0.520700 ₽ |
| 500 шт. | 0.503200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.495300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 800V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1.8A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 62.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.9Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 10.5nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 180pF |
Описание
800V 1.8A 2V 62.5W 2.9Ω@10V 1 N-канальный TO-252AA одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS