VISHAY SI7106DN-T1-GE3
Артикул: C5899681
Part Number: SI7106DN-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.294800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.777000 ₽ |
| 200 шт. | 0.310800 ₽ |
| 500 шт. | 0.299600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.294800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3.8W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.2mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 27nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 3.5nF |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
3.8W 20V 19.5A 1.5V 6.2mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS