650V,60A,траншейный FSII быстрый IGBT
Артикул: C5883265
Part Number: NCE60TD65BT
Производитель: NCE
от 1.733500 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.133900 ₽ |
| 10 шт. | 2.612400 ₽ |
| 30 шт. | 2.285900 ₽ |
| 90 шт. | 1.951200 ₽ |
| 510 шт. | 1.800100 ₽ |
| 1200 шт. | 1.733500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 319W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 262nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.018nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 199pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 138pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 170ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 186ns |
Описание
319W 120A 650V FS (ограничение поля) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы