650V SiC FET

650V SiC FET

Артикул: C5814995 Part Number: UJ3C065080K3S Производитель: Qorvo
от 8.451000 ₽ В наличии: 6 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 8.911200 ₽
10 шт. 8.715400 ₽
30 шт. 8.583200 ₽
90 шт. 8.451000 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 650V
Непрерывный ток стока (Id) 31A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 190W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 6V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 100mΩ
Заряд затвора (Qg) 51nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.5nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 2.6pF
Выходная ёмкость (Coss) 104pF

Описание

650V 31A 6V 190W 100mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS