DIODES DMN2015UFDE-7
Артикул: C581339
Part Number: DMN2015UFDE-7
Производитель: DIODES
от 0.087600 ₽
В наличии: 2485 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.178000 ₽ |
| 50 шт. | 0.144500 ₽ |
| 150 шт. | 0.130100 ₽ |
| 500 шт. | 0.112200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.092400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.087600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 660mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.1V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 19.7nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.779nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 154pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 175pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
660mW 20V 10.5A 1.1V 11.5mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный UDFN2020-6-EP одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS