Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Однофазный высокий-боковой и низкий-боковой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема

Артикул: C5804626 Part Number: IRS2101STRPBF-JSM Производитель: JSMSEMI
от 0.225200 ₽ В наличии: 4251 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 0.445500 ₽
10 шт. 0.347600 ₽
30 шт. 0.305200 ₽
100 шт. 0.251300 ₽
500 шт. 0.239900 ₽
1000 шт. 0.225200 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип нагрузки MOSFET
Конфигурация управления High Side;Low Side
Время задержки высокого уровня -
Время задержки низкого уровня -
Время спада 35ns
Время нарастания 75ns
Выходной ток высокого уровня (IOH) 300mA
Напряжение питания 10V~20V
Выходной ток низкого уровня (IOL) 600mA
Особенности Enable shutdown;Built-in bootstrap diode
Ток покоя 120uA
Входной логический уровень — низкий -
Входной логический уровень — высокий -

Описание

Низкий боковой высокий боковой драйвер затвора микросхема MOSFET SOP-8