700V 4A полумостовой мощность MOSFET/IGBT драйвер микросхема
Артикул: C5804624
Part Number: TF2110M-TR
Производитель: JSMSEMI
от 0.546200 ₽
В наличии: 496 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.742500 ₽ |
| 10 шт. | 0.666500 ₽ |
| 30 шт. | 0.623800 ₽ |
| 100 шт. | 0.577900 ₽ |
| 500 шт. | 0.555700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.546200 ₽ |
Характеристики
| Тип нагрузки | MOSFET |
| Конфигурация управления | Half-Bridge |
| Время задержки высокого уровня | 130ns |
| Время задержки низкого уровня | 130ns |
| Время спада | 17ns |
| Время нарастания | 25ns |
| Выходной ток высокого уровня (IOH) | 4A |
| Напряжение питания | 10V~20V |
| Выходной ток низкого уровня (IOL) | 4A |
| Особенности | Enable shutdown |
| Ток покоя | 120uA |
| Входной логический уровень — низкий | - |
| Входной логический уровень — высокий | - |
Описание
Полумостовой драйвер затвора микросхема MOSFET SOIC-16-300mil