JFET-VHF/UHF усилитель транзистор, N-канальный
Артикул: C58012
Part Number: MMBFJ309LT1G
Производитель: onsemi
от 0.079300 ₽
В наличии: 36045 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.167600 ₽ |
| 50 шт. | 0.130000 ₽ |
| 150 шт. | 0.113800 ₽ |
| 500 шт. | 0.093700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.084700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.079300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение отсечки затвор–исток (VGS(off)) | 4V |
| Напряжение пробоя затвор–исток (Vgss) | 25V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 225mW |
| Ток стока (Idss) | 30mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входная ёмкость (Ciss) | 5pF |
| Конфигурация | Standalone |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 2.5pF |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Выходная ёмкость (Coss) | - |
Описание
225mW 30mA 25V 1 N-канальный SOT-23 радиочастотные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS