1200V SiC траншейный MOSFET

1200V SiC траншейный MOSFET

Артикул: C5771896 Part Number: IMZA120R040M1HXKSA1 Производитель: Infineon
от 5.167300 ₽ В наличии: 385 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 7.527800 ₽
10 шт. 6.414000 ₽
30 шт. 5.734900 ₽
90 шт. 5.167300 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 1.2kV
Непрерывный ток стока (Id) 55A
Рабочая температура -55℃~+175℃
Рассеиваемая мощность (Pd) 227W
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 5.2V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 54.4mΩ
Заряд затвора (Qg) 51nC
Входная ёмкость (Ciss) 1.62nF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 11pF
Выходная ёмкость (Coss) 75pF

Описание

N-канальный 1.2kV 55A 227W монтаж в отверстия TO-247-4