Infineon IMT65R163M1HXUMA1
Артикул: C5771892
Part Number: IMT65R163M1HXUMA1
Производитель: Infineon
от 8.808800 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.089800 ₽ |
| 10 шт. | 8.969600 ₽ |
| 30 шт. | 8.888400 ₽ |
| 100 шт. | 8.808800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 19A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 106W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 163mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 320pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 45pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
106W 650V 19A 4.5V 163mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный HSOF-8-1 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS