VISHAY SI7686DP-T1-GE3
Артикул: C5754593
Part Number: SI7686DP-T1-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.126000 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.332400 ₽ |
| 200 шт. | 0.132700 ₽ |
| 500 шт. | 0.128200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.126000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 37.9W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 7.8mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 17nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.22nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 98pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 230pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30V 35A 3V 37.9W 7.8mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный PowerPAKSO-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS