VISHAY SIHB6N65E-GE3
Артикул: C5753906
Part Number: SIHB6N65E-GE3
Производитель: VISHAY
от 0.778900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.051800 ₽ |
| 200 шт. | 0.819800 ₽ |
| 500 шт. | 0.792600 ₽ |
| 1000 шт. | 0.778900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 78W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 600mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 48nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 820pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4pF |
Описание
650V 5A 2V 78W 600mΩ@10V 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS