VISHAY SIHB22N60ET1-GE3
Артикул: C5753904
Part Number: SIHB22N60ET1-GE3
Производитель: VISHAY
от 6.576500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.833200 ₽ |
| 10 шт. | 6.724400 ₽ |
| 30 шт. | 6.651300 ₽ |
| 100 шт. | 6.576500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 600V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 21A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 180mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 86nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.92nF |
Описание
600V 21A 4V 227W 180mΩ@10V 1 N-канальный D2PAK(TO-263) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)