650V GaN FET in a TO-247 корпус
Артикул: C5749215
Part Number: GAN041-650WSBQ
Производитель: Nexperia
от 15.126500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 18.580200 ₽ |
| 10 шт. | 16.951900 ₽ |
| 30 шт. | 15.958500 ₽ |
| 90 шт. | 15.126500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 47.2A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 187W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 35mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1500pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 147pF |
Описание
650V 47.2A 3.9V 187W 35mΩ 1 N-канальный N-канальный TO-247-3 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS