Infineon FD800R33KF2CK
Артикул: C5741584
Part Number: FD800R33KF2CK
Производитель: Infineon
от 3408.089300 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 8990.301700 ₽ |
| 200 шт. | 3587.189900 ₽ |
| 500 шт. | 3467.319200 ₽ |
| 1000 шт. | 3408.089300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | IGBT Module |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 3.3kV |
| Ток коллектора (Ic) | 800A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+125℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 4.25V |
| Заряд затвора (Qg) | 15uC@1800V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V |
| Входная ёмкость (Cies) | 100nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 5.4nF |
| Время задержки включения Td(on) | 280ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 1.55us |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 930mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 870mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
800A 3.3kV IGBT модуль одиночные IGBT-транзисторы RoHS