DIODES DMT10H9M9SH3
Артикул: C5711751
Part Number: DMT10H9M9SH3
Производитель: DIODES
от 0.636500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.679400 ₽ |
| 225 шт. | 0.669900 ₽ |
| 525 шт. | 0.647700 ₽ |
| 975 шт. | 0.636500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 84A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 114W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 9mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.085nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 13pF |
Описание
100V 84A 4V 114W 9mΩ@10V 1 N-канальный TO-251 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS