DIODES DMT10H009LFG-13
Артикул: C5711747
Part Number: DMT10H009LFG-13
Производитель: DIODES
от 0.447100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.180500 ₽ |
| 200 шт. | 0.471300 ₽ |
| 500 шт. | 0.456200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.447100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A;50A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W;30W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 8.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.361nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 16pF |
Описание
100V 2.5V 8.5mΩ@10V 1 N-канальный PowerDI3333-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS