Infineon DF200R12W1H3FB11
Артикул: C5711276
Part Number: DF200R12W1H3FB11
Производитель: Infineon
от 97.110900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 256.170200 ₽ |
| 192 шт. | 102.214500 ₽ |
| 504 шт. | 98.799000 ₽ |
| 1008 шт. | 97.110900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.45V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V |
| Входная ёмкость (Cies) | 6.15nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | - |
| Проходная ёмкость (Cres) | 345pF |
| Время задержки включения Td(on) | 18ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 730uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.3mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
30A 1.2kV одиночные IGBT-транзисторы RoHS