Автомобильного класса кремний карбид мощность MOSFET, 1200V, обычно 63 mΩ, 30A, HiP247-4 корпус
Артикул: C5693016
Part Number: SCT070W120G3-4AG
Производитель: ST
от 6.684400 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 9.798900 ₽ |
| 10 шт. | 8.329400 ₽ |
| 30 шт. | 7.434500 ₽ |
| 90 шт. | 6.684400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 1.2kV |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 30A |
| Рабочая температура | -55℃~+200℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 236W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 63mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 900pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 40pF |
Описание
1.2kV 30A 4.2V 236W 63mΩ@18V 1 N-канальный N-канальный HiP247-4 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS