DIODES DMT10H052LFDF-13
Артикул: C5673636
Part Number: DMT10H052LFDF-13
Производитель: DIODES
от 0.136500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.360000 ₽ |
| 200 шт. | 0.143700 ₽ |
| 500 шт. | 0.138900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.136500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 800mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 52mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 258pF |
Описание
100V 5A 3V 800mW 52mΩ@10V 1 N-канальный UDFN2020-6 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS