Infineon IPL65R650C6SE8211ATMA1
Артикул: C5657369
Part Number: IPL65R650C6SE8211ATMA1
Производитель: Infineon
от 1.004700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.647300 ₽ |
| 200 шт. | 1.056200 ₽ |
| 500 шт. | 1.021400 ₽ |
| 1000 шт. | 1.004700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 700V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.2A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 56.8W |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 590mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 440pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | - |
| Выходная ёмкость (Coss) | 30pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
56.8W 700V 4.2A 3V 590mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)