Infineon IMBG65R022M1HXTMA1
Артикул: C5657234
Part Number: IMBG65R022M1HXTMA1
Производитель: Infineon
от 35.023700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 36.084600 ₽ |
| 30 шт. | 35.023700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 50A |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@18V |
| Заряд затвора (Qg) | 67nC@18V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.288nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 24pF |
Описание
650V 50A 3.5V 300W 30mΩ@18V 1 N-канальный TO-263-7 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS