Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C5632676
Part Number: DDC114EUQ-7-F
Производитель: DIODES
от 0.042100 ₽
В наличии: 2185 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.078500 ₽ |
| 50 шт. | 0.062900 ₽ |
| 150 шт. | 0.055000 ₽ |
| 500 шт. | 0.049100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.044400 ₽ |
| 6000 шт. | 0.042100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 50mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | - |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 100 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.9V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 2 NPN со встроенными резисторами смещения транзистор 50V 50mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363