Двойной N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C559578
Part Number: DMN2008LFU-7
Производитель: DIODES
от 0.940700 ₽
В наличии: 4 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.656900 ₽ |
| 10 шт. | 1.389800 ₽ |
| 30 шт. | 1.222600 ₽ |
| 100 шт. | 1.052200 ₽ |
| 500 шт. | 0.973500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.940700 ₽ |
Характеристики
| Тип | N-Channel |
| Количество | 2 N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 14.5A |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.7mΩ@4.5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 42.3nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.418nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 106pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 323pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 14.5A 4.7mΩ@4.5V 1.7W 1.5V 2 N-канальный DFN2030-6B-EP сборки полевых транзисторов (FET, MOSFET) RoHS