Транзистор предварительное смещение 50V VMT-3
Артикул: C559317
Part Number: DTC114EMGT2L
Производитель: ROHM
от 0.020600 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.046300 ₽ |
| 100 шт. | 0.037100 ₽ |
| 300 шт. | 0.032500 ₽ |
| 1000 шт. | 0.029000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.022000 ₽ |
| 8000 шт. | 0.020600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -25℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 13kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 150mW поверхностный монтаж VMT-3