onsemi SMUN5214T1G

onsemi SMUN5214T1G

Артикул: C556419 Part Number: SMUN5214T1G Производитель: onsemi
от 0.130300 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
5 шт. 0.135200 ₽
50 шт. 0.133100 ₽
150 шт. 0.131700 ₽
500 шт. 0.130300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип NPN
Количество 1 NPN (Pre-Biased)
Ток коллектора (Ic) 100mA
Напряжение коллектор–эмиттер VCEO 50V
Рассеиваемая мощность (Pd) 230mW
Коэффициент усиления по постоянному току 80
Рабочая температура -55℃~+150℃
Напряжение эмиттер–база VEBO -
Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) 1.4V
Максимальное входное напряжение (VI(off)) 700mV
Выходное напряжение (VO(on)) 200mV
Входной резистор 10kΩ
Соотношение сопротивлений резисторов 0.21
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 250mV
Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) -
Ток отсечки коллектора 100nA

Описание

50V 80 100mA 230mW NPN 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) SC-70 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения RoHS