Сильноточный,высокопроизводительный DrMOS мощность модуль
Артикул: C5553894
Part Number: AOZ5516QI_2
Производитель: AOS
от 2.569900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.251200 ₽ |
| 10 шт. | 3.603400 ₽ |
| 30 шт. | 3.219300 ₽ |
| 100 шт. | 2.830300 ₽ |
| 500 шт. | 2.651300 ₽ |
| 1000 шт. | 2.569900 ₽ |
Характеристики
| Особенности | Undervoltage lockout with hysteresis;Overtemperature protection with hysteresis |
| Тип | MOSFET |
| Напряжение питания | 4.5V~5.5V |
| Напряжение сток–исток | - |
| Конфигурация | Half Bridge |
| Непрерывный ток стока (Id) | 55A |
| Частота переключения | 2MHz |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Напряжение смещения верхнего плеча (Vbs) | - |
| Ток покоя (Iq) | 3uA |
| Напряжение изоляции | - |
| Длина | 5mm |
| Ширина | 5mm |
Описание
55A MOSFET QFN-31(5x5) драйверы полного моста и полумоста (H-моста) RoHS