MDD(Microdiode Semiconductor) MMST5551
Артикул: C55533073
Part Number: MMST5551
Производитель: MDD(Microdiode Semiconductor)
от 0.011300 ₽
В наличии: 10000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.022600 ₽ |
| 200 шт. | 0.017800 ₽ |
| 600 шт. | 0.015000 ₽ |
| 2000 шт. | 0.013400 ₽ |
| 10000 шт. | 0.012000 ₽ |
| 20000 шт. | 0.011300 ₽ |
Характеристики
| Тип | NPN |
| Количество | 1 NPN |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 160V |
| Ток коллектора (Ic) | 600mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 300 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 150mV;200mV |
| Ток отсечки коллектора | 50nA |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 6V |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 100MHz |
Описание
160V 300 600mA NPN 1 NPN SOT-323 одиночные биполярные транзисторы