HXY MOSFET SI2318-1-HXY
Артикул: C55510151
Part Number: SI2318-1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.027600 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.052200 ₽ |
| 100 шт. | 0.041600 ₽ |
| 300 шт. | 0.036300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.032300 ₽ |
| 6000 шт. | 0.029200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.027600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 5A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.56W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 30mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 340pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 30pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 60pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40V 5A 1.9V 1.56W 30mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)