HXY MOSFET IPD180N10N3GATMA1-HXY
Артикул: C55510146
Part Number: IPD180N10N3GATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.321300 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.596600 ₽ |
| 10 шт. | 0.485100 ₽ |
| 30 шт. | 0.427800 ₽ |
| 100 шт. | 0.372100 ₽ |
| 500 шт. | 0.339300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.321300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 60A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 67.5W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 13.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.208nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11.3pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 144pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 60A 1.7V 67.5W 13.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)