HXY MOSFET IRF640PBF-HXY
Артикул: C55510145
Part Number: IRF640PBF-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.478600 ₽
В наличии: 24 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.889900 ₽ |
| 10 шт. | 0.721100 ₽ |
| 50 шт. | 0.637500 ₽ |
| 100 шт. | 0.555600 ₽ |
| 500 шт. | 0.504800 ₽ |
| 1000 шт. | 0.478600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 200V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 18A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 63.7W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 120mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 41nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.318nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 75pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 180pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
200V 18A 3V 63.7W 120mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220C одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)