HXY MOSFET DMN62D0UW-7-HXY
Артикул: C55510090
Part Number: DMN62D0UW-7-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.104000 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.202700 ₽ |
| 50 шт. | 0.160600 ₽ |
| 150 шт. | 0.142500 ₽ |
| 500 шт. | 0.120000 ₽ |
| 3000 шт. | 0.110000 ₽ |
| 6000 шт. | 0.104000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 115mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.3Ω@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 5pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 25pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 115mA 1.6V 200mW 1.3Ω@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-323 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)