HXY MOSFET SI4850EY-T1-E3-HXY
Артикул: C55510089
Part Number: SI4850EY-T1-E3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.171200 ₽
В наличии: 45 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.333800 ₽ |
| 50 шт. | 0.264400 ₽ |
| 150 шт. | 0.234700 ₽ |
| 500 шт. | 0.197600 ₽ |
| 3000 шт. | 0.181100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.171200 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 10A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 3W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 10mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 93nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.1nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 229pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 298pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60V 10A 1.3V 3W 10mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)