HXY MOSFET SI2333DDS-T1-GE3-HXY
Артикул: C55510087
Part Number: SI2333DDS-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.087600 ₽
В наличии: 90 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.170900 ₽ |
| 50 шт. | 0.135400 ₽ |
| 150 шт. | 0.120200 ₽ |
| 500 шт. | 0.101200 ₽ |
| 3000 шт. | 0.092700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.087600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 7A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 700mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 20mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 7.8nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 980pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 250pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 450pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 7A 700mV 20mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)