HXY MOSFET 2V7002KT1G-HXY
Артикул: C55510080
Part Number: 2V7002KT1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.017000 ₽
В наличии: 80 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.034100 ₽ |
| 200 шт. | 0.026800 ₽ |
| 600 шт. | 0.022700 ₽ |
| 3000 шт. | 0.020200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.018100 ₽ |
| 21000 шт. | 0.017000 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 68V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 300mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 350mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1Ω@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 1.7nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 21pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 4.2pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 11pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
68V 300mA 1.2V 350mW 1Ω@10V 1 N-канальный N-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)