BORN BMTO10N110
Артикул: C55497941
Part Number: BMTO10N110
Производитель: BORN
от 0.704700 ₽
В наличии: 300 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.235700 ₽ |
| 10 шт. | 1.029200 ₽ |
| 30 шт. | 0.914500 ₽ |
| 100 шт. | 0.786700 ₽ |
| 500 шт. | 0.729300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.704700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 416A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 429W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.9V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 280nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 16.5nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 380pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 2.11nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 416A 2.9V 429W 1.1mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TOLL одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)