HIMINGWAY HMS020N10H6M
Артикул: C55454969
Part Number: HMS020N10H6M
Производитель: HIMINGWAY
от 0.404800 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.750600 ₽ |
| 10 шт. | 0.609700 ₽ |
| 30 шт. | 0.539200 ₽ |
| 100 шт. | 0.468700 ₽ |
| 500 шт. | 0.426100 ₽ |
| 800 шт. | 0.404800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 100V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 259A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 543W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.1mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 176nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 10.12nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 50pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 1.36nF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100V 259A 3V 543W 2.1mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TSC-263-4L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)