Huixin H20N82R2
Артикул: C55372648
Part Number: H20N82R2
Производитель: Huixin
от 0.040800 ₽
В наличии: 3000 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.077400 ₽ |
| 100 шт. | 0.061600 ₽ |
| 300 шт. | 0.053800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.047900 ₽ |
| 6000 шт. | 0.043200 ₽ |
| 9000 шт. | 0.040800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 1A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 650mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 82mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 900pC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 58pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 11pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 17pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 1A 650mV 300mW 82mΩ@4.5V 1 N-канальный N-канальный SOT-523 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)