Транзистор предварительное смещение NPN 50V TSSOP-6(SOT-363)
Артикул: C553518
Part Number: PUMD3,135
Производитель: Nexperia
от 0.048100 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.091100 ₽ |
| 50 шт. | 0.072600 ₽ |
| 150 шт. | 0.063400 ₽ |
| 500 шт. | 0.056400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.050900 ₽ |
| 5000 шт. | 0.048100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.8V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.1V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 230MHz |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж TSSOP-6(SOT-363)