Транзистор предварительное смещение NPN 50V SOT-363
Артикул: C553511
Part Number: PUMD18,115
Производитель: Nexperia
от 0.057800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.059600 ₽ |
| 100 шт. | 0.058900 ₽ |
| 300 шт. | 0.058300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.057800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 7V |
| Рабочая температура | -65℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.5V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 900mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | - |
| Входной резистор | 4.7kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 2.1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 100mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | - |
| Ток отсечки коллектора | 100nA |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 1 NPN со встроенными резисторами смещения, 1 PNP со встроенными резисторами смещения 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-363